電力半導體器件熱容量小，在故障狀態下必須要有快速熔斷器保護。而快速熔斷器具有與半導體器件類似的熱特性，所以是一種良好的保護器件。

快速熔斷器選用一般原則如下：

【 ①額定電壓：快速熔斷器的額定電壓UN應稍大于快速熔斷器熔斷后兩端出現的故障電路的外加交流電壓。若半導體設備的負荷是有源逆變器、逆變型制動的電動機等逆變型負載時，應考慮半導體器件失控等引起設備直流側短路的可能性，此時快速熔斷器熔斷時，熔片兩端交流電壓與直流電壓疊加現象，快速熔斷器的額定電壓應按下式計算：UN ≥Uac+Udo×1/√2 式中：Uac：快速熔斷器熔斷后外加交流電壓;Udo：半導體設備負載端逆變型直流電壓。

②額定電流：熔斷器的額定電流INF是以電路中實際流過熔斷器的電流有效值IF為基礎，并考慮環境溫度、冷卻條件、電流裕度等因素影響進行計算。INF≥K×IF 式中：K值一般可取1.5~2。對于自冷式熔斷器K取較大值，尤其對熔斷器兩端連接導線特別短的電路，需取最大值;對水冷式熔斷器K取較小值。快速熔斷器選用額定電流過大勢必增加熔斷器的I2tF值，對半導體器件的保護是有害的。

③分斷I2t：當半導體器件與快速熔斷器串聯工作時，半導體器件允許通過的I2tD值應大于快速熔斷器的I2tF值，不然熔斷器熔斷時，器件也被燒損】

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